(资料图片仅供参考)

就在几年前，GaN还被认为是一种无用的半导体，这主要是因为GaN是一种非常不完美的晶体。因此，科学家和工程师克服了重重困难，才使GaN可用于各种应用。本文将介绍GaN技术的起源，让我们来先睹为快。

图1：Maruska和他的团队于1969年开发出单晶GaN层。图片来源：Science Direct

图2：三位蓝光LED先驱为全彩LED和蓝光激光技术铺平了道路，并因此获得了诺贝尔奖。

图3：在标准硅晶圆之上构建的GaN FET，能像硅MOSFET一样保持成本，但却能提供卓越的电气性能。（图片来源：EPC）

参考原文：A brief history of gallium nitride (GaN) semiconductors，由Franklin Zhao编译。

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